Компания Alpha and Omega Semiconductor добавляет к предложению MOSFET-транзисторов новую модель AONV070V65G1, реализованную на подложке из нитрида галлия, характеризующуюся напряжением пробоя 650 В. Это первый транзистор из нового семейства αGAN, который можно использовать, среди прочего в серверных и телекоммуникационных источниках питания с высокой энергоэффективностью и высокой удельной мощностью, позволяющих ограничить их габариты и требования к охлаждению.
По сравнению с обычными кремниевыми транзисторами модель AONV070V65G1, изготовленная на подложке GaN-on-Si, позволяет уменьшить более чем наполовину активную поверхность, уменьшить заряд затвора в 10 раз и устранить заряд Qrr, характерный для кремниевых МОП-транзисторов.
В то же время он подходит для работы с контроллерами затворов, предназначенными для кремниевых транзисторов. Он закрыт в корпусе DFN площадью 8 x 8 мм с выходом радиатора для эффективного отвода тепла.
Важные технические данные:
- VDS @ TJ maks.: 650 V,
- IDM: 45 A,
- RDS(ON): 70 mΩ,
- Qg, typ.: 6,9 nC,
- Qrr: 0 nC,
- CEoss @ 400 V: 6 µJ.