МОП-транзистор 40 В с очень высокой плотностью мощности в корпусах LFPAK 8 x 8 мм

Предложение транзисторов Nexperia MOSFET включает в себя 6 новых транзисторов с очень высокой плотностью мощности, заключенных в корпус LFPAK88 площадью 8 х 8 мм. Это n-канальные транзисторы с номинальным напряжением 40 В и допустимым постоянным током 425 А, демонстрирующие очень низкое сопротивление R DS (on) от 0,7 м. Они могут использоваться в качестве замены для транзисторов в корпусах D²PAK, от которых они меньше соответственно на 60% и 64% по занимаемой площади и толщине.

В отличие от корпусов, параметры которых ограничены внутренними проводными соединениями, в корпусах LFPAK88 используются структуры с медными зажимами, которые обеспечивают низкое электрическое сопротивление и эффективный отвод тепла от внутренней структуры. Перечень высокого допустимого тока проводимости с низким сопротивлением R DS (вкл) и малыми размерами корпуса обеспечивает до 48 раз более высокую плотность мощности новых транзисторов, чем в случае аналогов, закрытых в корпусах D²Pak.

Кроме того, кабели подвергаются меньшему напряжению, что обеспечивает вдвое большую надежность, чем требуется согласно спецификации AEC-Q101. Новые транзисторы производятся в версиях, адаптированных для промышленного применения (PSMNxxx) и автомобильного (BUK7Sxxx).

Применения в автомобильной промышленности включают тормозные системы, гидроусилитель руля, защиту от переполюсовки и преобразователи постоянного тока, где экономия места особенно полезна в цепях, требующих резервирования. Промышленные применения включают электроинструменты, профессиональные источники питания и телекоммуникационное оборудование.