Infineon Technologies представляет новое семейство 40-вольтных МОП-транзисторов OptiMOS 6, предназначенных для использования в импульсных источниках питания. По сравнению с транзисторами предыдущего поколения они обеспечивают на 30% более низкое сопротивление R DS (включено) и более низкие коэффициенты FOM (Q gd x R DS ( включено ) меньше на 46%, Q g x R DS (включено) меньше на 29%). Это приводит к тому, что они характеризуются низкими потерями как в диапазоне большой, так и малой выходной мощности блока питания.
Кривые энергоэффективности ясно показывают, что транзисторы OptiMOS 6 показывают значительно меньшие потери в низком выходном диапазоне по сравнению с транзисторами предыдущего поколения. Они остаются на низком уровне даже при высоких нагрузках, несмотря на тот факт, что потери проводимости, в зависимости от R DS (вкл.) , Являются преобладающими в этом отношении .
Это обеспечивает более низкие требования к системе охлаждения и облегчает параллельное соединение транзисторов, что, в свою очередь, означает снижение затрат на электропитание. Транзисторы OptiMOS 6 изготавливаются в восьми вариантах, закрытых двумя типами корпусов: SuperSO8 (6 x 5 мм, R DS ( вкл. ) От 0,7 до 5,9 мОм) и PQFN (3,3 x 3,3 мм, R DS ( вкл.) на) от 1,8 до 6,3 м).
Сравнение КПД 600-ваттного преобразователя постоянного тока с транзисторами OptiMOS 5 и OptiMOS 6 в широком диапазоне нагрузок