Infineon Technologies расширяет предложение промышленных 1200-вольтных диодов Шоттки CoolSiC G5 новыми версиями, изготовленными в корпусах TO247-2. Они могут заменить кремниевые диоды, обеспечивая более низкие потери мощности, а удлиненное расстояние до 8,7 мм и изолирующий зазор обеспечивают дополнительный запас прочности при работе в условиях сильного загрязнения.
Эти диоды изготавливаются в версиях с допустимым током проводимости до 10, 15, 20, 30 и 40 А. Они могут использоваться, среди прочего в зарядных станциях постоянного тока EV, фотоэлектрических установках и блоках ИБП, в качестве компонентов, взаимодействующих с кремниевыми транзисторами IGBT и транзисторами MOSFET с суперрезкой вилкой.
Помимо незначительных потерь при регенерации, типичных для диодов Шоттки, диоды SiC — CoolSiC G5 1200 В характеризуются очень низким напряжением проводимости V F , очень небольшим увеличением V F в зависимости от температуры и сопротивлением большим импульсным токам. Благодаря высокой энергоэффективности диод CoolSiC G5 в версии на 10 ампер можно использовать в качестве прямой замены для кремниевого диода на 30 А.